RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
11.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
64
Wokół strony -49% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
43
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
11.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
2615
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link