RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
14.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
64
Wokół strony -73% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
37
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
3419
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link