RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
16.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
64
Wokół strony -121% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
3961
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Kingston K531R8-ETB 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link