RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
10.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
64
Wokół strony -167% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
2462
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link