RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
10
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
54
64
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
2,256.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
54
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
2354
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link