RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
56
64
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.5
4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.2
2,256.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
56
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
9.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
7.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
2138
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link