RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
11.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
64
Wokół strony -60% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
40
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
2100
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Mushkin 992008 (997008) 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Kingston 9905471-074.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link