RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
64
Wokół strony -42% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
5.3
4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
2,256.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
45
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
5.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
1535
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link