RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-CG 4GB
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-CG 4GB vs Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-CG 4GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
44
Wokół strony -76% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
7.7
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-CG 4GB
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
44
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
10600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2037
2047
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link