RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
42
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
30
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
3155
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link