RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
42
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
21
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
3356
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KF560C40-16 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link