RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
42
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
30
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
3257
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link