RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
42
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
32
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
3379
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link