RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
42
Wokół strony -110% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
20
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
2939
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link