RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
42
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
37
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
3147
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link