RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
42
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.6
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
25
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
2364
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link