RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
186
Wokół strony 77% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.7
3.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.0
2.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
186
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
3.9
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
2.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
536
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link