RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
42
Wokół strony -45% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
29
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
3442
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link