RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
42
Wokół strony -45% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
29
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
3442
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link