RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
42
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
34
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
2831
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link