RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
42
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
34
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
2963
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD251280081 512MB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link