RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
42
Wokół strony -83% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
23
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
2709
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link