RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
46
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
46
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
2973
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link