RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
42
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
39
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
13.2
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
2651
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link