RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
42
Wokół strony -91% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
22
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
3135
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link