RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
42
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
28
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
3467
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link