RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
42
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.0
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
25
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
10.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
2832
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link