RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
42
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
25
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
3187
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link