RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
42
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
28
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
3546
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link