RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
42
Wokół strony -75% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.2
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
24
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
3744
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link