RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
80
Wokół strony 48% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
80
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
1775
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link