RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
42
Wokół strony -56% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
10600
Wokół strony 2.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
27
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
23400
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
3245
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link