RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
42
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
21
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
2833
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link