RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
42
Wokół strony -75% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
24
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
3049
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link