RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
42
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
30
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
3255
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link