RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
42
Wokół strony -75% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
24
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
2731
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link