RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
42
Wokół strony -56% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.6
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
27
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
2409
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link