RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
42
Wokół strony -121% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.5
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
19
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
17.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
3499
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link