RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
66
Wokół strony 36% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
66
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
1953
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link