RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
54
Wokół strony 22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.7
7.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
54
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
7.6
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
1611
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link