RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
68
Wokół strony 38% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
68
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
1925
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Kingston 99U5471-039.A00LF 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link