RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
42
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
34
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
2974
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link