RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
45
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
10600
1900
Wokół strony 5.58% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.7
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
6.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
45
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
1900
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
no data
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
2387
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
G Skill Intl F3-1600C9-8GXM 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4A-H9 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link