RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
42
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.2
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
33
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
11.2
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
2284
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link