RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
42
Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
38
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
2148
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link