RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
42
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
28
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
2443
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link