RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
42
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.2
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
28
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
12.2
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
2382
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Samsung M391B1G73BH0-CK0 8GB
Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link