RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
42
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
31
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
2954
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link