RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
42
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.2
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
31
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
3040
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68E9W1600 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link