RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
42
Wokół strony -45% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
29
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
2202
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link