RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
42
Wokół strony -62% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
26
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
2783
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link